| GD206 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms?? 精準模式:UPH4~6K/h ????????? 標準模式:UPH6~8K/h (實際產(chǎn)能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式:±10um 標準模式:±15um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 152.4*152.4 — 524*1524um | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:120-200mm W:50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸(L*W*H) | 906(正面長)*1200(側面縱深)*2013(高度)mm | ||||||||
| GD206 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms?? 精準模式:UPH4~6K/h ????????? 標準模式:UPH6~8K/h (實際產(chǎn)能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式:±10um 標準模式:±15um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 152.4*152.4 — 524*1524um | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:120-200mm W:50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸(L*W*H) | 906(正面長)*1200(側面縱深)*2013(高度)mm | ||||||||